Naučnici iz Japana napravili su veliki iskorak u razvoju MRAM memorije, potencijalne zamene za DRAM, koja obećava brži rad, veću efikasnost i očuvanje podataka bez struje. Istraživanje sa Univerziteta Osaka pokazuje kako upotreba električnog polja umesto jakih struja može rešiti glavni problem — preveliku potrošnju energije pri upisu podataka.
Šta je MRAM i zašto je važna?
Za razliku od klasične memorije, MRAM ne gubi podatke kada se isključi napajanje. Otporna je na habanje i kompatibilna sa CMOS čipovima, što je čini idealnom za prenosive uređaje i servere. Ali do sada, metode upisa bazirane na struji trošile su previše energije i stvarale toplotu.
Rešenje: multiferroični materijali i električno polje
Novi pristup koristi multiferroične heterostrukture — slojeve materijala koji reaguju na električna i magnetna polja. Ključ uspeha bio je umetanje sloja vanadijuma između Co₂FeSi legure i piezoelektričnog materijala PMN-PT, što je omogućilo preciznu kontrolu magnetizacije bez spoljnog magneta i na sobnoj temperaturi.
Stabilno pamćenje bez potrošnje energije
Najveće dostignuće studije je mogućnost da se dve magnetizacione vrednosti zadrže bez ikakvog dodatnog napajanja — što znači stabilno čuvanje podataka bez potrošnje. Ovo otvara vrata za komercijalnu MRAM memoriju koja je i brza i energetski štedljiva.
