Samsung je navodno prošao kvalifikaciono testiranje svog HBM4E memorijskog čipa kod NVIDIA-e i nekoliko velikih hyperscalera, što bi moglo biti ključan korak ka ulasku u lance snabdevanja za sledeću generaciju AI akceleratora.
Prema izveštaju korejskog medija Hankyung, Samsungova memorijska divizija završila je kvalifikaciono testiranje 12-Hi HBM4E čipa krajem septembra. Kvalifikacija je jedan od najvažnijih koraka pre komercijalne isporuke, jer kupci proveravaju da li memorija ispunjava zahteve u pogledu performansi, pouzdanosti i termičkih karakteristika.
Važna napomena
Postoji, međutim, bitan caveat: izveštaj potvrđuje samo prolaz kvalifikacije, dok konkretni ugovori, količine i rokovi masovne proizvodnje još uvek nisu potvrđeni. Samsung je odbio da komentariše navode.
Šta nudi HBM4E?
Samsung je počeo sa isporukom uzoraka 12-slojnog HBM4E čipa u maju ove godine. Svaki stek nudi kapacitet od 48 GB, brzinu od 14 Gbps po pinu uz mogućnost skaliranja do 16 Gbps, i propusnost do 3,6 TB/s – što je više od 20% bolje u odnosu na prethodnu HBM4 generaciju. Čip kombinuje Samsungovu 1c DRAM tehnologiju šeste generacije sa 4nm logičkom bazom iz Samsung Foundry-a.
Trka sa SK Hynix i Micron
Samsung agresivno nastoji da ojača svoju poziciju na HBM tržištu u odnosu na SK Hynix i Micron. Ako je kvalifikacija tačna, naredni korak je da li će to rezultirati konkretnim narudžbinama kada NVIDIA i drugi AI kupci krenu sa ramping-om sledećih AI akceleratora.
