Micron je predstavio roadmapu sledeće generacije DRAM i NAND memorija koje će pogoniti AI sisteme, data centre i mobilne uređaje. Sve nove tehnologije zasnovane su na novom 1δ (1-Delta) čvorištu, koje donosi mid-20s procentualno poboljšanje gustine bitova u odnosu na prethodnu 1y tehnologiju.
DDR6 i LPDDR6: dupla propusnost i veća efikasnost
DDR6 memorija donosi 2x veću propusnost u poređenju sa DDR5, što je posebno značajno za serverske aplikacije u data centrima. LPDDR6 pak beleži više od 35% bolju energetsku efikasnost u odnosu na LPDDR5, što ga čini ključnim za mobilne uređaje ali i za AI data centre. Micron je već u saradnji sa kompanijom Meta na integraciji LPDDR6 rešenja u buduće data centre. Uz to, kompanija najavljuje 1 TB RDIMM modul – industrijsku rekordnu kapacitivnost.
HBM: od standardnog ka vertikalnom
Micron širi HBM ponudu u tri pravca: standardni, prilagođeni (custom) i vertikalni dizajn. Posebno se ističe vHBM (vertikalni HBM), koji memoriju direktno stavlja na compute die, skraćujući put između memorije i procesora. Rezultat su veća propusnost po vatu i efikasnost u AI aplikacijama. Kompanija planira HBM5, HBM5E i HBM6, uz paralelni razvoj vHBM i vEIM tehnologija.
G11 NAND: više od 400 slojeva
Na NAND frontu, Micron razvija G11 NAND kao naslednika G9 generacije. G11 donosi wafer-on-wafer bonding sa više od 400 slojeva, oko 2x veću gustinu bitova i 1,5x brže IO brzine. Masovna proizvodnja očekuje se u drugoj polovini 2027. godine.
Micron je u najboljoj poziciji dosad – sa jasnim tehnološkim liderstvom u DRAM, HBM i NAND segmentima prilagođenim AI eri.
