Intel je na konferenciji Hot Chips objavio detaljne informacije o svom procesu 18A-P, koji donosi GAA (Gate-All-Around) tranzistore sa napajanjem s poleđine vafla (BSPD), Power Boost tehnologiju i veći broj metalnih slojeva. Rezultat je 30% viša radna frekvencija na 0,5V u poređenju sa FinFET ekvivalentima, mereno na procesorskim jezgrima koja su već u produkciji.
Prema istraživanju koje je sprovela kompanija Futurum Research Group u saradnji sa Intelom, 18A-P nije samo inkrementalni korak od 18A – u pitanju je značajan napredak. U odnosu na Intel 18A, novi proces nudi više od 9% boljih performansi pri istoj potrošnji, odnosno više od 18% manju potrošnju pri istim performansama.
Power Boost i RibbonFET inovacije
Power Boost uvodi dvokontaktnu arhitekturu sa ultra-niskim otporom koja povećava struju i omogućava više frekvencije bez povećanja kapaciteta. Uz to, 18A-P proširuje RibbonFET portfolio novim opcijama – W1 i W1.5 za uređaje niske potrošnje, dok W3P cilja na visoke performanse uz Power Boost, pružajući 10% brži rad bez povećanja elektičnog opterećenja.
Intel 18A-P takođe poboljšava termičku provodnost vezivnog sloja za 50%, što rezultuje 20–40% manjim ukupnim termičkim otporom. Dodavanje dva gruba metalna sloja donosi dodatnih 3% povećanja frekvencije na 1,1V i 2% na 0,65V, uz smanjenje potrošnje od 2%.
Diamond Rapids i Nova Lake na pravom putu
Diamond Rapids i Nova Lake su na pravom putu da kao prvi iskoriste prednosti 18A-P procesa. Diamond Rapids donosi do 256 jezgara – duplo više od prethodne generacije – sa IO logikom smeštenom u centar paketa radi ravnomernog pristupa memoriji, što je ključno za AI workload-ove.
Roadmap se dalje proteže ka rutenijem kao materijalom za interkonekcije (smanjenje kapaciteta za ~35% u odnosu na bakar) i 3D slaganju logike, čime Intel želi da nastavi višegeneracijski rast performansi po jezgru – analogno onome što je FinFET postigao tokom četiri generacije razvoja.
