TSMC radi na novoj memorijskoj arhitekturi koja bi mogla da promeni način na koji se memorija integriše u procesore. Reč je o Back-End-Of-Line (BEOL) memorijskom rešenju koje koristi međuslojeve logičkog čipa, umesto da se proizvodi kao zaseban memorijski die.
Povod za ovu priču bila je vest da TSMC navodno ulazi u posao sa 3D DRAM memorijom. TSMC je na te navode odgovorio sledećom izjavom za Tom’s Hardware:
„TSMC se u svakom trenutku fokusira na svoju osnovnu delatnost, a to je namenski IC foundry.“
„Naša misija je da budemo pouzdan tehnološki i kapacitetni partner globalne industrije logičkih IC čipova u godinama koje dolaze.“
Izjava nijednom rečju ne pominje DRAM, što stručnjaci tumače kao namerno izbegavanje direktnog poricanja.
https://x.com/jukan05/status/2119026338522869863
Šta je TSMC zapravo pokazao?
Na simpozijumu VLSI Technology and Circuits 2025, TSMC je predstavio memorijsku arhitekturu baziranu na oksidnim poluprovodnicima i konfiguraciji od jednog tranzistora i jednog kondenzatora (1T1C). Ključna prednost je korišćenje Amorphous Oxide Semiconductor (AOS) kanala, koji zahvaljujući procesu na niskim temperaturama ne oštećuje osetljive međuslojeve čipa i obezbeđuje izuzetno nizak strujni protok u isključenom stanju, što praktično eliminiše curenje struje indukovano kapijom (GIDL).
Testni čip radio je na 0,75V, vreme zadržavanja podataka premašuje 128ms, brzina čitanja/pisanja je ispod 8ns, a izdržljivost prelazi 10¹⁴ ciklusa.
Klasičan SRAM zahteva šest tranzistora po bitu i zauzima veliku površinu na dieu procesora. Nova 1T1C konfiguracija, opremljena strukturom kondenzatora iznad bitne linije (Capacitor-over-Bitline), mogla bi da upakuje znatno više memorije u isti prostor.
https://x.com/DrFrederickChen/status/2119032644612878647
Ekspert dr. Frederick Chen objasnio je još jednu prednost ovog pristupa: BEOL memorija može da iskoristi veću površinu procesora, umesto znatno manjeg DRAM diea. Prema njegovim rečima, razlika u površini može biti i više od 10 puta, što znači da su potrebni manji broj slojeva nego kod samostalnog monolitnog 3D DRAM-a.
Ukratko, sasvim je moguće da je TSMC bliži komercijalizaciji ove arhitekture nego što njegova zvanična izjava sugeriše, a The Information je dobio potvrđujuću informaciju koja je TSMC-u omogućila da izda demanti a da zapravo nije porekao ništa suštinsko.
